Компьютерное моделирование устойчивости наноэлектромеханических чипов полупроводниковых соединений переменного состава ZnS1-xSex
DOI:
https://doi.org/10.14258/izvasu(2016)1-02Ключевые слова:
полупроводник, наноэлектромеханический чип, соединения переменного состава, сульфид цинка, селенид цинка, функционал плотности, компьютерное моделированиеАннотация
Представлено исследование релаксации наноструктурных соединений электромеханических наночипов переменного состава ZnS1-xSex. Построены полупроводниковые наноэлектромеханические чипы ZnS и ZnSe, состоящие из 1000 атомов размером 5×5×5 элементарных ячеек в кристаллической структуре сфалерита. Методом аппроксимирующего квазичастичного функционала плотности получены значения парных межатомных электромеханических псевдопотенциалов Zn – S и Zn – Se. Устойчивость наночипов переменного состава ZnS1-xSex исследована методом молекулярной механики. Показано, что в целом образование наноэлектромеханических чипов в матрице кристалла сфалерита состава ZnS1-хSeх незначительно изменяет полную энергию и межатомные расстояния. Образование непрерывных твердых растворов замещения на подрешетке B6 в наночипах соединений состава ZnS1-хSeх достаточно хорошо подчиняется закону Вегарда. Незначительные отклонения от закона Вегарда обусловлены трансформациями второй и третьей координационной сферы в наночипах при изменении концентрации компонента B6. При х = 0,25 и х = 0,75 преобладает нелинейный дестабилизирующий вклад с положительным отклонением полной энергии.
DOI 10.14258/izvasu(2016)1-02
Скачивания
Библиографические ссылки
2. Сорокин С.В., Гронин С.В., Седова И.В. и др. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений AIIBVI для низкопороговых лазеров с оптической и электронной начинкой//Физика и техника полупроводников. -2015. -Т. 49., вып. 3.
3. Гафнер С.Л., Костерин С.В, Гафнер Ю.Я. Образование структурных модификаций в нанокластерах Cu//Физика твердого тела. -2007. -Т. 49, № 8.
4. Гафнер С. Л., Редель Л.В., Гафнер Ю.Я. Моделирование процессов структурообразования нанокластеров меди в рамках потенциала сильной связи//Журнал экспериментальной и теоретической физики. -2009. -Т. 135, № 5.
5. Мясниченко В.С., Старостенков М.Д. Зависимость формы и структуры нанокластеров системы CuAu от скорости охлаждения при различных концентрациях компонент//Известия Алтайского гос. ун-та. -2011. -№ 69 (1).
6. Мясниченко В.С., Старостенков М.Д. Применение представления о структурных многогранниках заполнения координационных сфер в объемных кристаллах к проблеме поиска устойчивых форм нанокластеров. I//Фундаментальные проблемы современного материаловедения. -2011. -№ 8 (2).
7. Крылов П.Н., Романов Э.А., Федотова И.В. Влияние термоотжига на структуру полупроводников//Физика и техника полупроводников. -2011. -Т. 45, вып. 1.
8. Бобренко Ю.Н., Павелец С.Ю., Павелец А.М. и др. Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe//Физика и техника полупроводников. -2013. -Т. 47, вып. 10.
9. Babucke H., Thiele P., Prasse T. etc. ZnSe-based electrooptic waveguide modulators for the blue-green spectral range//Semiconductor Science and Technology. -1998. -Vol. 13, № 2.
10. Itoh S., Taniguchi S., Hino T. etc. Room temperature laser operation of wide band-gap II-VI laser diodes//Materials Sciense and Engeneering B. -1997. -Vol. 43.
11. Itoh S., Nakano K., Ishibashi A. Current status and future prospects of ZnSe-based light-emitting devices//Journal of crystal growth. -2000. -Vol. 214.
12. Романов Э.А. Нанокристаллические пленки сульфида и селенида цинка для тонкопленочных электролю-минесцентных источников: дисс.. канд. физ.-мат. наук: 01.04.01, 01.04.07. -Ижевск, 2011.
13. HyperChem ® Release 5.0 for Windows. Reference manual/Copyright © 1996 Hypercube, Inc. -Canada. -1996.
14. HyperChem ® Computational Chemistry. Practical Guide/Copyright © 1996 Hypercube, Inc. -Canada. -1996.
15. Многоуровневое строение, физико-химические и инфомационные свойства вещества/С.А. Безносюк, А.И. Потекаев, М.С. Жуковский, Т.М. Жуковская, Л.В. Фомина. -Томск, 2005.
Загрузки
Выпуск
Раздел
Лицензия
Izvestiya of Altai State University is a golden publisher, as we allow self-archiving, but most importantly we are fully transparent about your rights.
Authors may present and discuss their findings ahead of publication: at biological or scientific conferences, on preprint servers, in public databases, and in blogs, wikis, tweets, and other informal communication channels.
Izvestiya of Altai State University allows authors to deposit manuscripts (currently under review or those for intended submission to Izvestiya of Altai State University) in non-commercial, pre-print servers such as ArXiv.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License (CC BY 4.0) that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
