Компьютерное моделирование устойчивости наноэлектромеханических чипов полупроводниковых соединений переменного состава AlxGa1-хР
DOI:
https://doi.org/10.14258/izvasu(2017)4-02Ключевые слова:
квантовые НЭМС, полупроводниковые наночипы, арсенид алюминия-галлия, фосфид алюминия-галлия, наночипы переменного составаАннотация
Представлено исследование релаксации наноструктурных соединений электромеханических наночипов переменного состава AlxGa1-xP. Построены полупроводниковые наноэлектромеханические чипы AlxGa1-xP, состоящие из 6400 атомов размером 20×20×2 элементарных ячеек в кристаллической структуре сфалерита. Методом аппроксимирующего квазичастичного функционала плотности получены значения парных межатомных электромеханических псевдопотенциалов Al - P и Ga - P. Устойчивость наночипов переменного состава AlxGa1-xP исследована методом молекулярной механики. Показано, что в целом образование наноэлектромеханических чипов в матрице кристалла сфалерита состава AlxGa1-xP незначительно изменяет полную энергию и межатомные расстояния. Образование непрерывных твердых растворов замещения на подрешетке A3 в наночипах соединений состава AlxGa1-xP достаточно хорошо подчиняется закону Вегарда. Незначительные отклонения от закона Вегарда обусловлены трансформациями второй и третьей координационной сферы в наночипах при изменении концентрации компонента A3. При х = 0,5 преобладает нелинейный дестабилизирующий вклад с положительным отклонением полной энергии.
DOI 10.14258/izvasu(2017)4-02
Скачивания
Библиографические ссылки
2. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств : справочник. — М., 1991.
3. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. — М., 2009.
4. Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ-транзисторы на широкозонных полупроводниках. — М., 2011.
5. Безносюк С.А., Терентьева Ю.В., Придчина С.А. Компьютерное моделирование устойчивости наноэлектро-механических чипов полупроводниковых соединений переменного состава ZnS1-xSex. // Известия Алтайского гос. ун-та. — 2016. — №1(89). DOI: 10.14258/izvasu(2016)1-02.
6. Лебеденко С.Е. Физико-химические аспекты и компьютерное моделирование формирования нанослоевых структур выпрямляющих контактов : дис. ... канд. хим. наук. — Барнаул, 2007.
7. Зюзин Ю.Б. Обзор изобретений «Полупроводниковые приборы и интегральные схемы». Ч. 1-3 // Аналитические обзоры [Электронный ресурс]. Scitechlibrary.com. — 2003.
8. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (на примере арсенида галлия). — М., 1974.
9. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. — М., 2000.
10. Бокий ГБ. Кристаллохимия. — М., 1971.
11. Многоуровневое строение, физико-химические и инфомационные свойства вещества / С. А. Безносюк, А. И. Потекаев, М. С. Жуковский, Т. М. Жуковская, Л. В. Фомина. — Томск, 2005.
12. Безносюк С.А., Жуковский М.С., Важенин С.В., Лерх Я.В. КомпНаноТех / Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2009613043 от 10 июня 2009 г.
13. HyperChem® Release 5.0 for Windows. Reference manual / Copyright © 1996 Hypercube, Inc. — Canada. — 1996.
14. HyperChem® Computational Chemistry. Practical Guide / Copyright © 1996 Hypercube, Inc. — Canada. — 1996.
Загрузки
Выпуск
Раздел
Лицензия
Izvestiya of Altai State University is a golden publisher, as we allow self-archiving, but most importantly we are fully transparent about your rights.
Authors may present and discuss their findings ahead of publication: at biological or scientific conferences, on preprint servers, in public databases, and in blogs, wikis, tweets, and other informal communication channels.
Izvestiya of Altai State University allows authors to deposit manuscripts (currently under review or those for intended submission to Izvestiya of Altai State University) in non-commercial, pre-print servers such as ArXiv.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License (CC BY 4.0) that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
