Электрические свойства пленок теллурида кадмия и барьера Шоттки на его основе (Al/СdТe)
УДК 621.315.592
DOI:
https://doi.org/10.14258/izvasu(2022)4-11Ключевые слова:
барьер Шоттки, рентгенограмма, теллурид кадмия, кристаллиты, проводимость, пленка, энергия активации, межзеренные границы, вакуумная установкаАннотация
Показано, что с ростом толщины пленок теллурида кадмия от 0,4 до 1 мкм удельное сопротивление уменьшается от 8·108 до 8,1·107 Ом·см, что равносильно возрастанию проводимости от 1,25·10-9 до 1,23·10-8 Ом-1·см-1. При толщинах выше 1 мкм удельное сопротивление и проводимость меняются слабо.
При толщинах пленок Д=0,4 мкм на рентгенограмме наблюдается один широкий максимум, что свидетельствует о несовершенстве кристаллитов. С ростом толщины до 1 мкм на рентгенограмме появляется ряд четких рефлексов с нарастающей интенсивностью, который связан с усовершенствованием кристаллической структуры пленок.
Получена вольт-амперная характеристика диода Шоттки. Показано, что с ростом прямого смещения наблюдается значительное увеличение прямого тока, а также заметное увеличение обратного тока при обратном смещении. Начальный участок прямой характеристики при напряжениях до 10 В является линейным и присущ барьерам Шоттки, однако при высоких напряжениях характеристика становится нелинейной.
Нелинейность вольт-амперной характеристики барьера Шоттки в достаточно широком диапазоне приложенного напряжения связана с эффектом границы зерен в поликристаллических пленках. А именно, при увеличении приложенного напряжения до определенного значения плотность ловушечных состояний в области границы кристаллита уменьшается, т.е. дырки начинают заполняться, что обычно наблюдается в полупроводниках, содержащих проводящие частицы в непроводящей матрице. Этот эффект мы использовали при изучении возможности изготовления детекторов ядерного излучения со структурой металл — полупроводник — металл.
Скачивания
Библиографические ссылки
Bhattacharya R.N., Rajeshwar K. Heterojunction CdS/ CdTe Solar Cells Based on Electrodeposited p-CdTe Thin Films: Fabrication and Characterization // J. Appl. Phys. 1985. № 58.
Marsillac S., Parikh V.Y., Compaan A.D. Ultra-thin Bifacial CdTe Solarcell // Sol. Energ. Sol. C. 2007. № 91.
Kumar L., Singh B.P., Misra A. Characterization of CdSe x Te 1-x sintered filmsfor photovoltaic applications // Physica B-Condensed Matter 2005. № 1-4.
Kumar V., Khan, K.L., Singh G, Sharma, T.P, Husain M. ZnSe Sintered Films: Growth and Characterization // Appl. Surf. Sci. 2007. Vol. 253. № 7.
Campbell D.S. Handbook of Thin Film Technology / eds. L.I. Maissel, R. Glang ; McGraw-Hill Book Compani. New York. 1970.
Беляев А.П. Зибец В.А., Калинкин И.П. Электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок CdTe // Изв. вузов. Физика. 1990. № 3.
Беляев В.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю. Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры // ФТП. 2003. Т. 37. № 6.
Darwish S. DC electric and photoelectric measurements of CdTe thin films in Schottky-barrier cells // Phys. B. 2004. Vol. 349.
Soshnikov A., Bilevych Ye., Darchuk L., Apatskaya M., Tsybrii Z., Vuychyk M., Boka A., Sizov F. Boelling and B. Sul-kio-Cleff. The influence of substrate materials to the properties of CdTe thin films grown by HWE // Journal of Crystal Growth. 2005.
Clark A.H., Kazmerski L.L. Polycrystalline and Amorphous Thin Film Devices // Academic. New York. 1980.
Султонов Н., Акобирова А.Т., Хамрокулов Р.Б., Наимов УР. Определение высоты барьера Шоттки на контакте металл — пленка СdТe // Наука и инновация. 2014. № 1.
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Izvestiya of Altai State University is a golden publisher, as we allow self-archiving, but most importantly we are fully transparent about your rights.
Authors may present and discuss their findings ahead of publication: at biological or scientific conferences, on preprint servers, in public databases, and in blogs, wikis, tweets, and other informal communication channels.
Izvestiya of Altai State University allows authors to deposit manuscripts (currently under review or those for intended submission to Izvestiya of Altai State University) in non-commercial, pre-print servers such as ArXiv.
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
- Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License (CC BY 4.0) that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
- Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
- Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
